သတင်း

ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများနှင့် အပူချိန်နိမ့်သော ပုံနှိပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် စျေးနှုန်းသက်သာစွာဖြင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသော အလွှာများပေါ်တွင် အမျိုးမျိုးသော ပါဝါစားသုံးပြီး ပါဝါစားသုံးနိုင်သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။သို့သော် အဆိုပါကိရိယာများမှ ပြီးပြည့်စုံသော အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များ ထုတ်လုပ်ခြင်းသည် များသောအားဖြင့် အမျိုးမျိုးသော လည်ပတ်ဗို့အားများအကြားသို့ ပြောင်းလဲရန်အတွက် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ လိုအပ်ပါသည်။ စက်ပစ္စည်းများ။Passive အစိတ်အပိုင်းများ—inductors၊ capacitors နှင့် resistors များသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများနှင့် အခြားအပလီကေးရှင်းများစွာတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော စစ်ထုတ်ခြင်း၊ ရေတိုစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနှင့် ဗို့အားတိုင်းတာခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ဆောင်ချက်များကို လုပ်ဆောင်ပါသည်။ ဤဆောင်းပါးတွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် inductors၊ capacitors၊ Resistor များနှင့် RLC ဆားကစ်များသည် ပျော့ပြောင်းလွယ်သော ပလပ်စတစ်အလွှာများပေါ်တွင် ဖန်သားပြင်ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားပြီး inductors များ၏ စီးရီးခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန်အတွက် ဒီဇိုင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အစီရင်ခံတင်ပြကာ ၎င်းတို့အား ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ထို့နောက် ပရင့်ထုတ်ထားသော inductor နှင့် resistor တို့ကို boost regulator circuit တွင် ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းထားသည်။ ထုတ်လုပ်သည်။ အော်ဂဲနစ်အလင်း-ထုတ်လွှတ်သည့်ဒိုင်အိုဒများနှင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများ။ ဗို့အားထိန်းညှိကိရိယာများကို DC-DC converter အပလီကေးရှင်းများတွင် ရိုးရာမျက်နှာပြင် mount အစိတ်အပိုင်းများကို အစားထိုးရန်အတွက် ပုံနှိပ်ထားသော passive အစိတ်အပိုင်းများ၏ အလားအလာကို ပြသသည့် ဘက်ထရီမှ diodes များကို ပါဝါထုတ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။
မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ ဝတ်ဆင်နိုင်သော ဧရိယာကျယ်ဝန်းသော အီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များနှင့် Internet of Things1,2 တို့တွင် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသည့် စက်ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကို အသုံးချနိုင်ခဲ့သည်။ ၎င်းတို့တွင် photovoltaic 3၊ piezoelectric 4 နှင့် thermoelectric 5 ကဲ့သို့သော စွမ်းအင်ရိတ်သိမ်းကိရိယာများ ပါဝင်သည်။ ဘက်ထရီ 6, 7 ကဲ့သို့သော စွမ်းအင်သိုလှောင်သည့် ကိရိယာများ၊ အာရုံခံကိရိယာ 8၊ 9၊ 10၊ 11၊ 12 နှင့် အလင်းရင်းမြစ်များကဲ့သို့ ပါဝါစားသုံးသည့်ကိရိယာများနှင့် 13. စွမ်းအင်ရင်းမြစ်များနှင့် ဝန်တစ်ခုချင်းစီတွင် ကြီးမားသောတိုးတက်မှုများရရှိခဲ့သော်လည်း အဆိုပါအစိတ်အပိုင်းများကို ပြီးပြည့်စုံသောအီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်တစ်ခုအဖြစ် ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် များသောအားဖြင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ လိုအပ်ပါသည်။ ပါဝါထောက်ပံ့မှု အပြုအမူနှင့် ဝန်လိုအပ်ချက်များကြား မကိုက်ညီမှုမှန်သမျှကို ကျော်လွှားပါ။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဘက်ထရီသည် ၎င်း၏အားသွင်းမှုအခြေအနေအရ ပြောင်းလဲနိုင်သော ဗို့အားကို ထုတ်ပေးပါသည်။ ဝန်သည် အဆက်မပြတ်ဗို့အား လိုအပ်သည်၊ သို့မဟုတ် ဘက်ထရီထုတ်ပေးနိုင်သည့် ဗို့အားထက် ပိုမြင့်ပါက၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ လိုအပ်ပါသည်။ .ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများသည် ကူးပြောင်းခြင်းနှင့် ထိန်းချုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းဆောင်တာများလုပ်ဆောင်ရန် တက်ကြွသောအစိတ်အပိုင်းများ (ထရန်စစ္စတာ) များအပြင် passive အစိတ်အပိုင်းများ (inductors၊ capacitors နှင့် resistors)များကို အသုံးပြုပါသည်။ဥပမာ၊ switching regulator circuit တွင် inductor သည် switching cycle တစ်ခုစီအတွင်း စွမ်းအင်သိုလှောင်ရန်အတွက် inductor ကိုအသုံးပြုသည် ဗို့အားလှိုင်းစီးခြင်းကို လျှော့ချရန်အတွက် capacitor ကိုအသုံးပြုပြီး တုံ့ပြန်မှုထိန်းချုပ်မှုအတွက် လိုအပ်သော ဗို့အားတိုင်းတာမှုကို resistor ပိုင်းခြားသည့်ကိရိယာကို အသုံးပြု၍ လုပ်ဆောင်သည်။
ဝတ်ဆင်နိုင်သော စက်ပစ္စည်းများအတွက် သင့်လျော်သော ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ (ဥပမာ pulse oximeter 9 ကဲ့သို့) ဗို့နှင့်များစွာသော milliamps လိုအပ်သည်၊ များသောအားဖြင့် ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးရာနှင့်ချီသော kHz မှ MHz အများအပြားတွင် လည်ပတ်ကြပြီး μH နှင့် များစွာသော μH inductance နှင့် capacitance μF သည် 14 အသီးသီး။ ဤဆားကစ်များကို ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ ရိုးရာနည်းလမ်းမှာ ခိုင်မာသော ပုံနှိပ်ဆားကစ်ဘုတ် (PCB) သို့ discrete အစိတ်အပိုင်းများကို ဂဟေဆော်ရန်ဖြစ်သည်။ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ဆားကစ်များ၏ တက်ကြွသောအစိတ်အပိုင်းများကို များသောအားဖြင့် ဆီလီကွန်ပေါင်းစပ်ဆားကစ် (IC) တစ်ခုတည်းသို့ ပေါင်းစပ်ထားသော်လည်း များသောအားဖြင့် Passive အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ပြင်ပ၊ စိတ်ကြိုက် ဆားကစ်များကို ခွင့်ပြုခြင်း သို့မဟုတ် လိုအပ်သော inductance နှင့် capacitance သည် ဆီလီကွန်တွင် အကောင်အထည်ဖော်ရန် အလွန်ကြီးမားသောကြောင့် ဖြစ်သည်။
သမားရိုးကျ PCB-based ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ပေါင်းထည့်ပုံနှိပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများနှင့် ဆားကစ်များထုတ်လုပ်ခြင်းသည် ရိုးရှင်းမှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်၏ အားသာချက်များစွာရှိသည်။ ပထမဦးစွာ ဆားကစ်၏အစိတ်အပိုင်းများစွာသည် အဆက်အသွယ်များအတွက် သတ္တုများကဲ့သို့သော တူညီသောပစ္စည်းများ လိုအပ်သောကြောင့်၊ နှင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများ၊ ပုံနှိပ်ခြင်းတွင် အစိတ်အပိုင်းအများအပြားကို လုပ်ငန်းစဉ်အနည်းငယ်နှင့် ပစ္စည်းများ၏ရင်းမြစ်အနည်းငယ်ဖြင့် တစ်ချိန်တည်းတွင် ထုတ်လုပ်နိုင်စေရန် ခွင့်ပြုပေးပါသည်။15. ပေါင်းထည့်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်များဖြစ်သည့် photolithography နှင့် etching ကဲ့သို့သော နုတ်လုပ်ငန်းစဉ်များကို အစားထိုးအသုံးပြုခြင်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်ရှုပ်ထွေးမှုနှင့် ပစ္စည်းစွန့်ပစ်မှုကို လျော့နည်းစေပါသည်။16၊ 17၊ 18၊ နှင့် 19။ ထို့အပြင်၊ ပုံနှိပ်ခြင်းတွင်အသုံးပြုသည့် အပူချိန်နိမ့်များသည် လိုက်လျောညီထွေရှိပြီး စျေးသက်သာသော ပလပ်စတစ်အလွှာများနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိပြီး မြန်နှုန်းမြင့် roll-to-roll ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို 16၊ 20 ဧရိယာများထက် ကြီးမားသောဧရိယာများကို လွှမ်းခြုံနိုင်စေပါသည်။ အပလီကေးရှင်းများအတွက် ပုံနှိပ်အစိတ်အပိုင်းများဖြင့် အပြည့်အဝ နားလည်မရနိုင်သော၊ အပူချိန်နိမ့်သော ပုံနှိပ်အစိတ်အပိုင်းများဘေးရှိ မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်နည်းပညာ (SMT) အစိတ်အပိုင်းများကို ပျော့ပြောင်းလွယ်သော အလွှာ ၂၁၊ ၂၂၊ ၂၃ နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည့် ပေါင်းစပ်နည်းလမ်းများကို တီထွင်ထားပါသည်။ ဤပေါင်းစပ်ချဉ်းကပ်မှုတွင်၊ အပိုဆောင်းလုပ်ငန်းစဉ်များ၏အကျိုးကျေးဇူးများရရှိရန်နှင့် circuit ၏အလုံးစုံပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ကိုရရှိရန် SMT အစိတ်အပိုင်းများကို တတ်နိုင်သမျှများများအစားထိုးရန်လိုအပ်ပါသည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကိုနားလည်သဘောပေါက်စေရန်အတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် SMT တက်ကြွသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့် စခရင်-ပုံနှိပ်ထားသော passive ပေါင်းစပ်မှုကို အဆိုပြုထားပါသည်။ ကြီးမားသော SMT inductors များကို planar spiral inductors များဖြင့် အစားထိုးခြင်းအတွက် အထူးအလေးပေးထားသော အစိတ်အပိုင်းများ။ ပုံနှိပ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အမျိုးမျိုးသောနည်းပညာများကြားတွင်၊ ၎င်း၏ကြီးမားသောဖလင်အထူကြောင့် ဖန်သားပြင်ပရင့်သည် ၎င်း၏ကြီးမားသောဖလင်အထူကြောင့် (သတ္တုအင်္ဂါရပ်များ၏ ဆက်တိုက်ခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန်လိုအပ်ပါသည်။ ) စင်တီမီတာအဆင့် ဧရိယာများကို ဖုံးအုပ်ထားသော်လည်း မြင့်မားသော ပုံနှိပ်နှုန်းနှင့် အကြိမ်များတွင် အလားတူပင်ဖြစ်သည်။Material 24။
ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ passive အစိတ်အပိုင်းများ ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ဆားကစ်၏ထိရောက်မှုသည် စနစ်အား ပါဝါလိုအပ်သည့် စွမ်းအင်ပမာဏကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်သောကြောင့် ၎င်းသည် ရှည်လျားသောကွိုင်များပါရှိသော ပရင့်ထုတ်ထားသော inductors အတွက် အထူးသဖြင့် စိန်ခေါ်မှုဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် မြင့်မားသောစီးရီးများအထိ ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ ခုခံမှု။ ထို့ကြောင့်၊ ပုံနှိပ်ကွိုင်များ၏ ခုခံမှု 25, 26, 27, 28 ကို လျှော့ချရန် အချို့သော ကြိုးပမ်းမှုများ ပြုလုပ်ခဲ့သော်လည်း၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပရင့်ထုတ် passive အစိတ်အပိုင်းများ နည်းပါးနေသေးပါသည်။ ယနေ့အထိ၊ များစွာသော ပုံနှိပ်ထားသော passive အစီရင်ခံစာ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်အလွှာရှိ အစိတ်အပိုင်းများကို ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းသတ်မှတ်ခြင်း (RFID) သို့မဟုတ် စွမ်းအင်ရိတ်သိမ်းခြင်းဆိုင်ရာ ရည်ရွယ်ချက်များအတွက် ပဲ့တင်ထပ်သော ဆားကစ်များတွင် လည်ပတ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ အခြားအရာများသည် ပစ္စည်း သို့မဟုတ် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို အာရုံစိုက်ပြီး ယေဘုယျအစိတ်အပိုင်းများကို ပြသသည် 26၊ 32၊ 33၊ 34 သည် သီးခြားအပလီကေးရှင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးမွမ်းမံထားခြင်းမရှိပါ။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်၊ လျှပ်စီးကြောင်းအားထိန်းကိရိယာကဲ့သို့သော ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ဆားကစ်များသည် ပုံမှန်ပုံနှိပ်ထားသော passive စက်ပစ္စည်းများထက် ပိုကြီးသောအစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး ပဲ့တင်ထပ်ရန်မလိုအပ်သောကြောင့် မတူညီသောအစိတ်အပိုင်းဒီဇိုင်းများကို လိုအပ်ပါသည်။
ဤတွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ဆက်စပ်သော ကြိမ်နှုန်းများတွင် အသေးငယ်ဆုံးစီးရီးခံနိုင်ရည်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစေရန် μH အကွာအဝေးရှိ စခရင်-ပုံနှိပ် inductors များ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းကို မိတ်ဆက်ပေးပါသည်။ အမျိုးမျိုးသော အစိတ်အပိုင်းတန်ဖိုးများရှိသော စခရင်-ပုံနှိပ် inductors၊ capacitors နှင့် resistors များကို ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော ပလပ်စတစ်အလွှာများပေါ်တွင်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် အီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များအတွက် အဆိုပါအစိတ်အပိုင်းများ၏ သင့်လျော်မှုကို ရိုးရှင်းသော RLC ဆားကစ်တစ်ခုတွင် ပထမဆုံးပြသခဲ့သည်။ ထို့နောက် ပုံနှိပ်ထားသော inductor နှင့် resistor ကို မြှင့်တင်ထိန်းညှိမှုတစ်ခုအဖြစ် IC နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ အော်ဂဲနစ်အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ဒိုင်အိုဒ (OLED) ) နှင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီကို ထုတ်လုပ်ထားပြီး ဘက်ထရီမှ OLED အား ပါဝါပေးရန် ဗို့အားထိန်းညှိကို အသုံးပြုထားသည်။
ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် ပုံနှိပ်ထားသော inductors များကို ဒီဇိုင်းရေးဆွဲရန်အတွက် Mohan et al တွင် တင်ပြထားသည့် လက်ရှိစာရွက်ပုံစံအပေါ်အခြေခံ၍ inductor ဂျီသြမေတြီများ၏ inductance နှင့် DC ခံနိုင်ရည်အား ဦးစွာခန့်မှန်းထားပါသည်။ 35၊ မော်ဒယ်၏တိကျမှုကိုအတည်ပြုရန် မတူညီသောဂျီသြမေတြီများ၏ inductors များကို ဖန်တီးထားသည်။ ဤလုပ်ငန်းတွင်၊ inductor အတွက် စက်ဝိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ကို ရွေးချယ်ခဲ့ပြီး မြင့်မားသော inductance 36 ကို polygonal geometry နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ခံနိုင်ရည်နည်းပါးသောကြောင့် ရရှိနိုင်သည်။ မင်၏လွှမ်းမိုးမှု ခုခံမှုအပေါ် ပုံနှိပ်ခြင်းစက်ဝန်း အမျိုးအစားနှင့် အရေအတွက်ကို ဆုံးဖြတ်သည်။ ထို့နောက် 4.7 μH နှင့် 7.8 μH inductors များကို အနည်းဆုံး DC ခံနိုင်ရည်အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ဒီဇိုင်းထုတ်ရန် ဤရလဒ်များကို ammeter မော်ဒယ်ဖြင့် အသုံးပြုခဲ့သည်။
ခရုပတ် inductors များ၏ inductance နှင့် DC ခံနိုင်ရည်အား ဘောင်များစွာဖြင့် ဖော်ပြနိုင်သည်- အပြင်အချင်း do၊ အနံ w နှင့် အကွာအဝေး s၊ အလှည့်နံပါတ် n နှင့် conductor sheet resistance Rsheet.ပုံ 1a သည် ပိုးသားမျက်နှာပြင်ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားသော စက်ဝိုင်းပုံ inductor ၏ ဓာတ်ပုံကို ပြသည် n = 12 ဖြင့် ၎င်း၏ inductance ကို ဆုံးဖြတ်သည့် ဂျီဩမေတြီ ဘောင်များကို ပြသသည်။ Mohan et al ၏ အမ်မီတာ မော်ဒယ် အရ 35, inductance ကို inductor ဂျီသြမေတြီ အတွဲလိုက်အတွက် တွက်ချက်သည်
(က) ဂျီဩမေတြီဘောင်များကိုပြသသည့် ဖန်သားပြင်ရိုက်နှိပ်ထားသည့် inductor ၏ဓာတ်ပုံ။ အချင်းသည် 3 စင်တီမီတာဖြစ်သည်။ Inductance (b) နှင့် DC ခုခံမှု (ဂ) ဖြစ်သည်။ မျဉ်းများနှင့် အမှတ်အသားများသည် တွက်ချက်ပြီး တိုင်းတာသည့်တန်ဖိုးများနှင့် အသီးသီး သက်ဆိုင်ပါသည်။ (ဃ,င) Inductors L1 နှင့် L2 ၏ DC ခံနိုင်ရည်များသည် Dupont 5028 နှင့် 5064H ငွေရောင်မင်များဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားသော စခရင်ကို အသီးသီး ဖော်ပြထားကြသည်။(f,g) Dupont 5028 နှင့် 5064H အသီးသီး ရိုက်နှိပ်ထားသော ရုပ်ရှင်စခရင်၏ SEM မိုက်ခရိုဂရပ်များ။
မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများတွင်၊ အရေပြားအကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် ကပ်ပါးစွမ်းရည်သည် ၎င်း၏ DC တန်ဖိုးအရ inductor ၏ ခံနိုင်ရည်နှင့် inductance ကို ပြောင်းလဲသွားမည်ဖြစ်သည်။ အဆိုပါ inductor သည် အဆိုပါသက်ရောက်မှုများ နည်းပါးသည့်အတွက် လုံလောက်သောနိမ့်ကြိမ်နှုန်းဖြင့် အလုပ်လုပ်မည်ဟု မျှော်လင့်ရပြီး စက်သည် စဉ်ဆက်မပြတ် inductance အဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ စီးရီးများတွင် အဆက်မပြတ်ခံနိုင်ရည်ဖြင့်။ ထို့ကြောင့်၊ ဤလုပ်ငန်းတွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဂျီဩမေတြီဘောင်ဘောင်များ၊ လျှပ်စီးကြောင်းများနှင့် DC ခံနိုင်ရည်ကြားရှိ ဆက်စပ်မှုကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာကာ ရလဒ်များကို အသေးငယ်ဆုံး DC ခံနိုင်ရည်ရှိသော ပေးထားသော inductance ရရှိရန် အသုံးပြုခဲ့သည်။
Inductance နှင့် Resistance ကို ဖန်သားပြင်ပုံနှိပ်ခြင်းဖြင့် သိရှိနိုင်သည့် ဂျီဩမေတြီ ဘောင်ဘောင်များ အတွဲလိုက်အတွက် တွက်ချက်ထားပြီး μH အကွာအဝေးရှိ inductance ကို ထုတ်ပေးမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ ပြင်ပအချင်း 3 နှင့် 5 စင်တီမီတာ၊ လိုင်းအကျယ် 500 နှင့် 1000 microns နှင့် အမျိုးမျိုးသော အလှည့်များကို နှိုင်းယှဉ်ထားသည်။ တွက်ချက်မှုတွင်၊ စာရွက်ခံနိုင်ရည်မှာ 47 mΩ/□ ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် 7 μm အထူ Dupont 5028 silver microflake conductor အလွှာနှင့် 400 mesh မျက်နှာပြင်ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားပြီး ချိန်ညှိမှု w = s.The တွက်ချက်ထားသော inductance နှင့် resistance တန်ဖိုးများကို ပုံ 1b နှင့် c တွင် အသီးသီးပြထားသည်။ ပြင်ပအချင်းနှင့် အလှည့်အရေအတွက် တိုးလာသည်နှင့်အမျှ မျဉ်းအကျယ် လျော့နည်းလာသည်နှင့်အမျှ inductance နှင့် resistance နှစ်ခုစလုံး တိုးလာမည်ဟု ခန့်မှန်းသည်။
မော်ဒယ်ခန့်မှန်းချက်များ၏တိကျမှုကိုအကဲဖြတ်ရန်အတွက်၊ အမျိုးမျိုးသောဂျီသြမေတြီများနှင့် inductance များ၏ inductors များကို polyethylene terephthalate (PET) substrate ပေါ်တွင်ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ အဆိုပါတိုင်းတာထားသော inductance နှင့် resistance တန်ဖိုးများကို ပုံ 1b နှင့် c တွင်ပြသထားသည်။ resistance သည် အချို့သောသွေဖည်မှုကိုပြသနေသော်လည်း၊ မျှော်လင့်ထားသည့်တန်ဖိုး၊ အဓိကအားဖြင့် အပ်နှံထားသောမင်များ၏ အထူနှင့် တူညီမှုပြောင်းလဲမှုကြောင့်၊ inductance သည် မော်ဒယ်နှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သောသဘောတူညီချက်ကို ပြသခဲ့သည်။
လိုအပ်သော inductance နှင့် အနိမ့်ဆုံး DC ခံနိုင်ရည်ရှိသော inductor ကို ဒီဇိုင်းရေးဆွဲရန် ဤရလဒ်များကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ inductance 2 μH လိုအပ်သည်ဆိုပါစို့။ ပုံ 1b သည် ဤ inductance ကို ပြင်ပအချင်း 3 စင်တီမီတာ၊ လိုင်းအကျယ်ဖြင့် သိရှိနိုင်သည် 500 μm နှင့် 10 အလှည့်။ အလားတူ inductance ကို 5 စင်တီမီတာအပြင်ဘက်အချင်း၊ 500 μm မျဉ်းအကျယ်နှင့် 5 ကွေ့ သို့မဟုတ် 1000 μm မျဉ်းအကျယ်နှင့် 7 ကွေ့ (ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း) ကိုအသုံးပြု၍ တူညီသော inductance ကိုထုတ်ပေးနိုင်သည်။ ဤသုံးမျိုး၏ခံနိုင်ရည်အား နှိုင်းယှဉ်ခြင်း။ ပုံ 1c တွင် ဖြစ်နိုင်သော ဂျီသြမေတြီများ ၊ မျဉ်းအကျယ် 1000 μm ရှိသော 5 စင်တီမီတာ လျှပ်ကူးတာ၏ အနိမ့်ဆုံးခံနိုင်ရည်မှာ 34 Ω ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် အခြားနှစ်ခုထက် 40% ခန့်နိမ့်သည်။ ၎င်းသည် ပေးထားသော inductance ကိုရရှိရန် ယေဘူယျဒီဇိုင်းလုပ်ငန်းစဉ် အနိမ့်ဆုံးခုခံမှုဖြင့် အောက်ပါအတိုင်း အကျဉ်းချုံးထားသည်- ပထမဦးစွာ အပလီကေးရှင်းမှ သတ်မှတ်သည့် အာကာသကန့်သတ်ချက်များအရ ခွင့်ပြုနိုင်သော ပြင်ပအချင်းကို ရွေးချယ်ပါ။ ထို့နောက် မြင့်မားသောဖြည့်စွက်နှုန်းကိုရရှိရန် လိုအပ်သော inductance ကိုရရှိနေချိန်တွင် မျဉ်းအကျယ်သည် တတ်နိုင်သမျှ ကျယ်သင့်ပါသည်။ (ညီမျှခြင်း (၃))။
အထူကို တိုးမြှင့်ခြင်း သို့မဟုတ် သတ္တုဖလင်၏ စာရွက်ခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း မြင့်မားသော ပစ္စည်းကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ DC ခံနိုင်ရည်အား inductance ကို မထိခိုက်စေဘဲ နောက်ထပ် လျှော့ချနိုင်သည်။ Inductors နှစ်ခုသည် L1 နှင့် L2 ဟုခေါ်သော ဇယား 1 တွင် ဂျီဩမေတြီဘောင်များကို ပေးထားသည်။ ခုခံမှုပြောင်းလဲမှုကို အကဲဖြတ်ရန်အတွက် အပေါ်ယံအလွှာအရေအတွက်အမျိုးမျိုးဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ မှင်အပေါ်ယံပိုင်းအရေအတွက်များလာသည်နှင့်အမျှ၊ ပုံ 1d ​​နှင့် e တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း Inductors L1 နှင့် L2 အသီးသီးဖြစ်သည့် ပုံ 1d ​​နှင့် e တို့တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း ခံနိုင်ရည်အား အချိုးကျကျဆင်းသွားသည်။ ပုံ 1d ​​နှင့် e အလွှာ 6 လွှာကို လိမ်းခြင်းဖြင့် ခံနိုင်ရည်အား 6 ဆအထိ လျှော့ချနိုင်ပြီး အလွှာ 1 နှင့် အလွှာ 2 အကြား ခံနိုင်ရည်အား အမြင့်ဆုံး လျှော့ချနိုင်သည် ။ အတော်လေးသေးငယ်သော ဂရစ်အရွယ်အစား (တစ်လက်မလျှင် လိုင်း 400) ပါရှိသည့် စခရင်ကို ဤ inductors များကို ရိုက်နှိပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းသည် ခုခံမှုအပေါ် conductor အထူ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို လေ့လာနိုင်စေပါသည်။ ပုံစံအင်္ဂါရပ်များသည် ဇယားကွက်၏ အနိမ့်ဆုံး resolution ထက် ပိုကြီးနေသရွေ့၊ ပိုကြီးသော အကွက်အရွယ်အစားဖြင့် အပေါ်ယံအလွှာငယ်ကို ရိုက်နှိပ်ခြင်းဖြင့် ဆင်တူသော အထူ (နှင့် ခံနိုင်ရည်) ကို ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ ရရှိနိုင်သည်။ ဤနည်းလမ်းကို ဤနေရာတွင် ဆွေးနွေးထားသော 6-coated inductor ကဲ့သို့ တူညီသော DC ခံနိုင်ရည်ရရှိရန် ဤနည်းလမ်းကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှုအမြန်နှုန်း မြင့်မားသည်။
Figures 1d နှင့် e တို့သည် ပိုမိုလျှပ်ကူးနိုင်သော ငွေရောင်ပိတ်မှင် DuPont 5064H ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ခုခံအားကို အချက်နှစ်ချက်ဖြင့် လျှော့ချကြောင်း ပြသပါသည်။ မင်နှစ်ချောင်းဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားသော ရုပ်ရှင်များ၏ SEM မိုက်ခရိုဂရပ်များ (ပုံ 1f၊ g) မှ ၎င်းသည် ဖြစ်နိုင်သည်။ 5028 မင်၏ အောက်လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် ၎င်း၏သေးငယ်သော အမှုန်အရွယ်အစားနှင့် ပုံနှိပ်ဖလင်ရှိ အမှုန်များကြားတွင် အပျက်အစီးများစွာရှိနေခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ 5064H တွင် ပိုမိုကြီးမား၍ ပိုမိုနီးကပ်စွာဖွဲ့စည်းထားသော အမှုန်အမွှားများပါရှိပြီး ၎င်းသည် အစုလိုက်ပိုမိုနီးကပ်စေပါသည်။ ငွေရောင်။ဤမင်မှထုတ်လုပ်သည့်ဖလင်သည် 5028 မင်ထက်ပိုမိုပါးလွှာသော်လည်း 4 μm နှင့် 22 μm အလွှာ 6 အလွှာရှိသော်လည်း၊ လျှပ်ကူးနိုင်မှုတိုးလာခြင်းသည် အလုံးစုံခံနိုင်ရည်အား လျှော့ချရန်လုံလောက်ပါသည်။
နောက်ဆုံးတွင်၊ inductance (ညီမျှခြင်း (1)) သည် အလှည့်အပြောင်း (w + s) ပေါ်တွင်မူတည်သော်လည်း၊ ခုခံမှု (ညီမျှခြင်း (5)) သည် line width w ပေါ်တွင်သာ မူတည်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် w နှင့် နှိုင်းယှဥ်လျှင် s ကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် ခုခံနိုင်စွမ်း၊ ထပ်မံလျှော့ချနိုင်သည်။ နောက်ထပ် Inductor L3 နှင့် L4 နှစ်ခုကို w=2s နှင့် ဇယား 1 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ကြီးမားသောအပြင်ဘက်အချင်းရှိရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းတို့အား ထောက်ပံ့ပေးရန်အတွက် DuPont 5064H coating အလွှာ 6 အလွှာဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသည်။ အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်။ L3 ၏ inductance သည် 4.720 ± 0.002 μH ဖြစ်ပြီး ခုခံမှုမှာ 4.9 ± 0.1 Ω ဖြစ်ပြီး L4 ၏ inductance မှာ 7.839 ± 0.005 μH နှင့် 6.9 ± 0.1 Ω ဖြစ်သည်၊ မော်ဒယ်ခန့်မှန်းချက်အတွက် ကောင်းမွန်ပါသည်။ အထူ၊ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် w/s တိုးလာခြင်း၊ ဆိုလိုသည်မှာ L/R အချိုးသည် ပုံ 1 ရှိ တန်ဖိုးနှင့် ဆက်စပ်၍ ပြင်းအားအစီအစဥ်ထက် ပိုမိုများပြားလာသည်ဟု ဆိုလိုသည်။
DC ခံနိုင်ရည်နည်းပါးသော်လည်း kHz-MHz အကွာအဝေးတွင် လည်ပတ်နေသော ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် inductors များ၏ သင့်လျော်မှုကို အကဲဖြတ်ခြင်းသည် AC ကြိမ်နှုန်းများတွင် လက္ခဏာရပ်များ လိုအပ်ပါသည်။ ပုံ 2a သည် L3 နှင့် L4 တို့၏ တုံ့ပြန်မှု၏ ကြိမ်နှုန်းမှီခိုမှုကို ပြသထားသည်။ 10 MHz အောက် ကြိမ်နှုန်းများအတွက် ၊ ခုခံအားသည် ၎င်း၏ DC တန်ဖိုးတွင် အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် တည်ရှိနေပြီး၊ တုံ့ပြန်မှုမှာ ကြိမ်နှုန်းဖြင့် မျဉ်းဖြောင့်အတိုင်း တိုးလာနေချိန်တွင် ဆိုလိုသည်မှာ inductance သည် မျှော်လင့်ထားသည့်အတိုင်း ကိန်းသေဖြစ်သည်။ ၎င်းကို impedance မှ inductive မှ capacitive သို့ ပြောင်းလဲသည့် ကြိမ်နှုန်းအဖြစ် သတ်မှတ်သည်။ L3 ဖြစ်ခြင်း 35.6 ± 0.3 MHz နှင့် L4 သည် 24.3 ± 0.6 MHz. အရည်အသွေးအချက် Q (ωL/R နှင့် ညီမျှသည်) ၏ ကြိမ်နှုန်းမှီခိုမှုကို ပုံ 2b.L3 နှင့် L4 တွင်ပြသထားပြီး အမြင့်ဆုံးအရည်အသွေးအချက်များ 35 ± 1 နှင့် 33 ± 1 ရရှိသည် ကြိမ်နှုန်း 11 နှင့် 16 MHz အသီးသီးရှိကြသည်။ μH အနည်းငယ်၏ inductance နှင့် MHz ကြိမ်နှုန်းများတွင် Q သည် မြင့်မားသောကြောင့် အဆိုပါ inductors များသည် သမားရိုးကျ မျက်နှာပြင်-mount inductors များကို စွမ်းအားနိမ့် DC-DC converters များတွင် အစားထိုးရန် လုံလောက်ပါသည်။
inductors L3 နှင့် L4 ၏ ခံနိုင်ရည်အား R နှင့် reactance X (a) နှင့် quality factor Q (b) တို့သည် ကြိမ်နှုန်းနှင့် ဆက်စပ်နေသည်။
ပေးထားသော capacitance အတွက် လိုအပ်သော ခြေရာကို လျှော့ချရန်အတွက်၊ dielectric ၏အထူဖြင့် ခွဲထားသော dielectric constant ε နှင့် ညီမျှသည့် ကြီးမားသော သီးခြား capacitance နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းသည် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းတွင်၊ barium titanate composite ကို ရွေးချယ်ခဲ့သည်။ dielectric အနေဖြင့် အခြားသော ဖြေရှင်းချက်-စီမံထားသော အော်ဂဲနစ်ဒိုင်ယာလက်ထရောနစ်များထက် ပိုမိုမြင့်မားသော epsilon ပါ၀င်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ပုံ 3a တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ငွေရောင်လျှပ်ကူးပတ်နှစ်ခုကြားတွင် မျက်နှာပြင်ပုံရိုက်နှိပ်ထားသည်။ ကာပါစီတာများသည် စင်တီမီတာတွင် အရွယ်အစားအမျိုးမျိုးရှိကာ ပုံ 3a တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၊ အထွက်နှုန်းကောင်းစေရန် ဒိုင်အီလက်ထရစ်မင်အလွှာ နှစ်ခု သို့မဟုတ် သုံးခုကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ပုံ 3b သည် dielectric အလွှာနှစ်ခုဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ကိုယ်စားလှယ် capacitor ၏ အပိုင်းခွဲ SEM မိုက်ခရိုဂရပ်ကို ပြသထားပြီး စုစုပေါင်း dielectric အထူ 21 μm ဖြစ်သည်။ အပေါ်နှင့် အောက် လျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာတစ်လွှာနှင့် ခြောက်လွှာ 5064H အသီးသီးဖြစ်သည်။ မိုက်ခရိုအရွယ်အစားရှိသော ဘေရီယမ်နိတ်အမှုန်များကို SEM ပုံတွင် မြင်တွေ့နိုင်သောကြောင့် ပိုမိုတောက်ပသောနေရာများကို နက်မှောင်သောအော်ဂဲနစ် binder ဖြင့်ဝန်းရံထားသည်။ dielectric မှင်သည် အောက်ခြေလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ကောင်းစွာစိုစွတ်စေပြီး ကြည်လင်သောမျက်နှာပြင်ကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ပုံနှိပ်ထားသော သတ္တုဖလင်ကို ပိုမိုချဲ့ထွင်ထားသည်။
(က) မတူညီသော ဧရိယာငါးခုပါသည့် ကာပတ်စီတာတစ်ခု၏ ဓာတ်ပုံ။(ခ) ဘေရီယမ် တိုက်တေနိတ်ဒိုင်အီလက်ထရစ်နှင့် ငွေလျှပ်ထရိုဒရိုက်များကို ပြသထားသော ကာပတ်စီတာ၏ အပိုင်းခွဲ SEM မိုက်ခရိုဂရပ်ဖ်၊ dielectric အလွှာများနှင့် မတူညီသော ဧရိယာများကို 1 MHz ဖြင့် တိုင်းတာသည်။(ဃ) dielectric coatings နှင့် frequency အလွှာ 2 ခုပါရှိသော 2.25 cm2 capacitor ၏ capacitance, ESR နှင့် loss factor အကြား ဆက်စပ်မှု။
Capacitance သည် မျှော်လင့်ထားသည့်ဧရိယာနှင့် အချိုးကျပါသည်။ ပုံ 3c တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၊ နှစ်လွှာ dielectric ၏ သီးခြား capacitance သည် 0.53 nF/cm2 ဖြစ်ပြီး၊ သုံးလွှာ dielectric ၏ သီးခြား capacitance သည် 0.33 nF/cm2 ဖြစ်သည်။ ဤတန်ဖိုးများသည် dielectric ကိန်းသေတစ်ခု၏ 13.The ပုံ 3d တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း 2.25 cm2 capacitor တစ်ခုအတွက် capacitance နှင့် dissipation factor (DF) ကို မတူညီသောကြိမ်နှုန်းများဖြင့် တိုင်းတာခဲ့သည်၊ 2.25 cm2 capacitor သည် dielectric အလွှာနှစ်ခုပါရှိသည်။ capacitance သည် စိတ်ဝင်စားသည့် frequency အကွာအဝေးတွင် အတော်လေးပြားနေသဖြင့် 20% တိုးလာသည်၊ 1 မှ 10 MHz တူညီသောအကွာအဝေးတွင်ရှိသော်လည်း DF သည် 0.013 မှ 0.023 သို့ တိုးလာပါသည်။ dissipation factor သည် AC စက်ဝန်းတစ်ခုစီတွင် သိုလှောင်ထားသည့် စွမ်းအင်နှင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုအချိုးဖြစ်ပြီး DF သည် 0.02 ဖြစ်သောကြောင့် ကိုင်တွယ်ထားသော ပါဝါ၏ 2% ကို ဆိုလိုသည်။ capacitor အားဖြင့် သုံးစွဲသွားပါသည်။ ဤဆုံးရှုံးမှုကို အများအားဖြင့် ကက်ပါစီတာဖြင့် အတွဲလိုက် ကြိမ်နှုန်း-မှီခို ညီမျှသော စီးရီးခုခံမှု (ESR) အဖြစ် ဖော်ပြသည်၊၊ DF/ωC နှင့် ညီမျှသည်။ ပုံ 3d တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း 1 MHz၊ ESR ထက်ကြီးသော ကြိမ်နှုန်းများအတွက် 1.5 Ω ထက် နိမ့်ပြီး 4 MHz ထက်ကြီးသော ကြိမ်နှုန်းများအတွက် ESR သည် 0.5 Ω ထက် နိမ့်ပါသည်။ ဤ capacitor နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသော်လည်း DC-DC converters အတွက် လိုအပ်သော μF-level capacitors များသည် အလွန်ကြီးမားသော ဧရိယာ လိုအပ်သော်လည်း 100 pF-nF၊ capacitance range နှင့် ဤ capacitors များနိမ့်ကျခြင်းတို့သည် filter များနှင့် resonant circuit များကဲ့သို့သော အခြားသော application များအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ capacitance ကိုတိုးမြှင့်ရန်အတွက် အမျိုးမျိုးသောနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ပိုမိုမြင့်မားသော dielectric constant သည် သီးခြား capacitance ကို 37 တိုးစေသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ မင်မင်အတွင်းရှိ barium titanate အမှုန်များ၏ အာရုံစူးစိုက်မှုကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် ၎င်းကို အောင်မြင်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် စခရင်ပုံနှိပ်ထားသော ငွေရောင်အမှုန်များထက် အောက်ခြေလျှပ်ကူးပစ္စည်း လိုအပ်သော်လည်း ပိုမိုသေးငယ်သော dielectric အထူကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ အလွှာများကို inkjet ပရင့်ထုတ်ခြင်း 31 သို့မဟုတ် gravure printing 10 ဖြင့် အပ်နှံနိုင်သည်၊ ၎င်းသည် မျက်နှာပြင်ပုံနှိပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုနှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်ပါသည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ သတ္တုနှင့် dielectric အလှည့်အပြောင်းများစွာကို အထပ်လိုက်နှင့် ရိုက်နှိပ်နိုင်ပြီး အပြိုင်ချိတ်ဆက်နိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် တစ်ယူနစ်ဧရိယာတစ်ခုလျှင် capacitance 34 ကို တိုးမြှင့်နိုင်သည်။ .
တုံ့ပြန်မှုထိန်းချုပ်မှုအတွက် လိုအပ်သော ဗို့အားတိုင်းတာမှုပြုလုပ်ရန်အတွက် ခုခံသူတစ်စုံနှင့်ဖွဲ့စည်းထားသော ဗို့အားပိုင်းခြားနားချက်ကို အများအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။ ဤအပလီကေးရှင်းအမျိုးအစားအတွက်၊ ပုံနှိပ်ခံခုခံအားသည် kΩ-MΩ အကွာအဝေးအတွင်း ရှိသင့်ပြီး ကွာခြားချက်၊ စက်ပစ္စည်းများသည် သေးငယ်ပါသည်။ ဤနေရာတွင်၊ အလွှာတစ်ခုတည်း မျက်နှာပြင်-ပုံနှိပ်ထားသော ကာဗွန်မင်၏ စာရွက်ခံနိုင်ရည်မှာ 900 Ω/□ ဖြစ်သည်။ ဤအချက်အလက်များကို linear resistor နှစ်ခု (R1 နှင့် R2) နှင့် serpentine resistor (R3) တို့ကို ဒီဇိုင်းထုတ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ 10 kΩ၊ 100 kΩ နှင့် 1.5 MΩ တို့၏ အမည်ခံခံနိုင်ရည်များဖြင့်) အမည်ခံတန်ဖိုးများအကြား ခံနိုင်ရည်အား ပုံ 4 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း မင်အလွှာ နှစ်လွှာ သို့မဟုတ် သုံးလွှာကို ရိုက်နှိပ်ခြင်းဖြင့် အောင်မြင်သည်၊ နှင့် ခံနိုင်ရည်သုံးမျိုး၏ ဓာတ်ပုံများ။ 8- ပြုလုပ်ပါ။ 12 အမျိုးအစားတစ်ခုစီ၏နမူနာ; ကိစ္စရပ်တိုင်းတွင်၊ ခုခံမှု၏စံသွေဖည်မှုမှာ 10% သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းပါသည်။ အပေါ်ယံအလွှာနှစ်ခု သို့မဟုတ် သုံးလွှာရှိသောနမူနာများ၏ ခံနိုင်ရည်ပြောင်းလဲမှုသည် အပေါ်ယံအလွှာတစ်ခုပါရှိသော နမူနာများထက် အနည်းငယ်သေးငယ်ပါသည်။ တိုင်းတာသည့်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု အနည်းငယ်ပြောင်းလဲမှု နှင့် အမည်ခံတန်ဖိုးနှင့် နီးစပ်သော သဘောတူညီချက်သည် ဤအကွာအဝေးရှိ အခြားခုခံအား ခုခံအား ဂျီသြမေတြီကို ပြုပြင်ခြင်းဖြင့် တိုက်ရိုက်ရရှိနိုင်ကြောင်း ဖော်ပြသည်။
မတူညီသော ကာဗွန်ခံနိုင်ရည်ရှိသော မင်အပေါ်ယံကိန်းဂဏန်းများပါရှိသော မတူညီသော ခုခံမှုဂျီသြမေတြီသုံးခု။ ခုခံမှုသုံးခု၏ဓာတ်ပုံကို ညာဘက်တွင် ပြထားသည်။
RLC ဆားကစ်များသည် စစ်မှန်သော ပုံနှိပ်ဆားကစ်များအတွင်း ပေါင်းစပ်ထားသော passive အစိတ်အပိုင်းများ၏ အမူအကျင့်များကို သရုပ်ပြသရန်နှင့် အတည်ပြုရန်အတွက် အသုံးပြုသည့် ခုခံအား၊ အလျှပ်ကူးတာနှင့် ကာပတ်စီတာ ပေါင်းစပ်မှုများ၏ ဂန္တ၀င်စာအုပ် ဥပမာများဖြစ်သည်။ ဤဆားကစ်တွင် 8 μH inductor နှင့် 0.8 nF capacitor တို့ကို အတွဲလိုက်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ 25 kΩ resistor ကို ၎င်းတို့နှင့်အပြိုင် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် ဆားကစ်၏ ဓာတ်ပုံကို ပုံ 5a တွင် ပြထားသည်။ ဤအထူးစီးရီး-အပြိုင် ပေါင်းစပ်မှုကို ရွေးချယ်ရခြင်း၏ အကြောင်းရင်းမှာ ၎င်း၏ အပြုအမူကို မတူညီသော ကြိမ်နှုန်း အစိတ်အပိုင်း သုံးခုမှ တစ်ခုစီက ဆုံးဖြတ်သောကြောင့်၊ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မီးမောင်းထိုးပြပြီး အကဲဖြတ်နိုင်ပါသည်။ inductor ၏ 7 Ω စီးရီးခံနိုင်ရည်နှင့် capacitor ၏ 1.3 Ω ESR ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းဖြင့် circuit ၏ မျှော်လင့်ထားသော ကြိမ်နှုန်းတုံ့ပြန်မှုကို တွက်ချက်ခဲ့သည်။ အဆိုပါ circuit diagram ကို ပုံ 5b တွင်ပြသထားပြီး တွက်ချက်ထားသည် impedance amplitude နှင့် phase နှင့် တိုင်းတာသောတန်ဖိုးများကို ပုံ 5c နှင့် d တွင်ပြသထားသည်။ အနိမ့်ကြိမ်နှုန်းများတွင် capacitor ၏မြင့်မားသော impedance ကိုဆိုလိုသည်မှာ circuit ၏အပြုအမူကို 25 kΩ resistor မှဆုံးဖြတ်သည်။ ကြိမ်နှုန်းတိုးလာသည်နှင့်အမျှ impedance ၏ impedance၊ LC လမ်းကြောင်း လျော့နည်းသွားသည်။ ပဲ့တင်ထပ်ကြိမ်နှုန်း 2.0 MHz ဖြစ်သည်အထိ circuit တစ်ခုလုံးသည် capacitive ဖြစ်နေပါသည်။ ပဲ့တင်ထပ်သော ကြိမ်နှုန်းထက်၊ inductive impedance သည် လွှမ်းမိုးထားသည်။ ပုံ 5 သည် ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြားတစ်ခုလုံးကိုဖြတ်၍ တွက်ချက်ပြီးတိုင်းတာထားသော တန်ဖိုးများကြားတွင် ကောင်းမွန်သောသဘောတူညီချက်ကို ရှင်းရှင်းလင်းလင်းပြသထားသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ အသုံးပြုထားသောမော်ဒယ် ဤနေရာတွင် (inductors နှင့် capacitors များသည် စီးရီးခံနိုင်ရည်ရှိသော အကောင်းဆုံး အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်) သည် အဆိုပါ frequencies များတွင် circuit အပြုအမူကို ခန့်မှန်းရန်အတွက် တိကျပါသည်။
(က) 25 kΩ resistor နှင့် အပြိုင် 8 μH inductor နှင့် 0.8 nF capacitor ၏ ဆက်တိုက်ပေါင်းစပ်မှုကို အသုံးပြုသည့် စခရင်-ပုံနှိပ် RLC circuit ၏ ဓာတ်ပုံ။(ခ) inductor နှင့် capacitor ၏ စီးရီးခံနိုင်ရည် အပါအဝင် circuit model။(ဂ ,d) ပတ်လမ်း၏ impedance လွှဲခွင် (ဂ) နှင့် အဆင့် (ဃ)။
နောက်ဆုံးတွင်၊ ပုံနှိပ်ထားသော inductors နှင့် resistor များကို boost regulator တွင် အကောင်အထည်ဖော်ထားသည်။ ဤသရုပ်ပြမှုတွင်အသုံးပြုသည့် IC သည် Microchip MCP1640B14 ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် PWM-based synchronous boost regulator ဖြစ်ပြီး လည်ပတ်မှုအကြိမ်ရေ 500 kHz ဖြစ်သည်။ circuit diagram ကို ပုံ 6a.A တွင်ပြထားသည်။ 4.7 μH inductor နှင့် capacitors နှစ်ခု (4.7 μF နှင့် 10 μF) ကို စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုဒြပ်စင်များအဖြစ် အသုံးပြုထားပြီး တုံ့ပြန်မှုထိန်းချုပ်မှု၏ အထွက်ဗို့အားကို တိုင်းတာရန်အတွက် resistor တစ်စုံကို အသုံးပြုပါသည်။ အထွက်ဗို့အား 5 V သို့ ချိန်ညှိရန် ခုခံတန်ဖိုးကို ရွေးပါ။ ဆားကစ်ကို PCB တွင်ထုတ်လုပ်ထားပြီး ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဝန်ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် လီသီယမ်-အိုင်ယွန်ဘက်ထရီအား အမျိုးမျိုးသော အားသွင်းအခြေအနေများတွင် အတုယူရန် 3 မှ 4 V ၏ အဝင်ဗို့အားအကွာအဝေးအတွင်း တိုင်းတာသည်။ printed inductors နှင့် resistors များ၏ ထိရောက်မှုကို နှိုင်းယှဉ်ထားသည်။ SMT inductors နှင့် resistors များ၏ ထိရောက်မှု။ SMT capacitors သည် ဤအပလီကေးရှင်းအတွက် လိုအပ်သော capacitance သည် printed capacitors ဖြင့် ပြီးမြောက်ရန် အလွန်ကြီးမားသောကြောင့် ကိစ္စရပ်တိုင်းတွင် အသုံးပြုပါသည်။
(က) ဗို့အားတည်ငြိမ်စေသော ဆားကစ်ပုံသဏ္ဍာန်။(ခ–ဃ) (ခ) ဗို့တ်၊ (ဂ) Vsw၊ နှင့် (ဃ) လျှပ်ကူးတာသို့ စီးဆင်းနေသော လှိုင်းပုံစံများ၊ အဝင်ဗို့အား 4.0 V၊ ဝန်ခံနိုင်ရည်မှာ 1 kΩ၊ နှင့် ပုံနှိပ်ထားသော inductor ကို တိုင်းတာရန် အသုံးပြုပါသည်။ ဤတိုင်းတာခြင်းအတွက် Surface mount resistors နှင့် capacitors များကို အသုံးပြုပါသည်။(င) အမျိုးမျိုးသော ဝန်ခံနိုင်ရည်များနှင့် input voltages များအတွက်၊ surface mount components များအားလုံးနှင့် printed inductors နှင့် resistors များကို အသုံးပြုထားသော voltage regulator circuit များ၏ ထိရောက်မှု။(f ) (င) တွင်ပြသထားသည့် မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပုံနှိပ်ပတ်လမ်းများ၏ ထိရောက်မှုအချိုး။
4.0 V အဝင်ဗို့အားနှင့် 1000 Ω ဝန်ခံနိုင်ရည်အတွက်၊ ပုံ 6b-d တွင် တိုင်းတာထားသော လှိုင်းပုံစံများကို ပုံ 6b-d တွင်ပြသထားသည်။ ပုံ 6c သည် IC ၏ Vsw terminal တွင် ဗို့အားကိုပြသထားသည်။ inductor ဗို့အားသည် Vin-Vsw ဖြစ်သည်။ ပုံ 6d သည် inductor သို့စီးဆင်းနေသောလက်ရှိကိုပြသထားသည်။ SMT နှင့် printed components များဖြင့် circuit ၏ထိရောက်မှုကိုပုံ 6e တွင်ပြသထားပြီး input voltage နှင့် load resistance ၏လုပ်ဆောင်ချက်အဖြစ် ပုံ 6f သည် ထိရောက်မှုအချိုးကိုပြသသည် SMT အစိတ်အပိုင်းများသို့ ရိုက်နှိပ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများ။ SMT အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြု၍ တိုင်းတာသည့် စွမ်းဆောင်ရည်သည် ထုတ်လုပ်သူ၏ ဒေတာစာရွက်တွင် ပေးထားသည့် မျှော်မှန်းတန်ဖိုးနှင့် ဆင်တူပါသည်။ 14. မြင့်မားသော သွင်းအားလျှပ်စီးကြောင်း (ဝန်နည်းခြင်းနှင့် အဝင်ဗို့အားနည်းသော) တွင် ပုံနှိပ်အင်ဒက်တာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ထက် သိသိသာသာ နိမ့်ကျပါသည်။ မြင့်မားသောစီးရီးခံနိုင်ရည်ကြောင့် SMT inductors ၏အရာမှာ ပိုမိုမြင့်မားသော input voltage နှင့် output current များသောကြောင့် ခံနိုင်ရည်ဆုံးရှုံးမှုသည် အရေးပါလာသည်နှင့်အမျှ printed inductors များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် SMT inductors ၏ ချဉ်းကပ်မှုစတင်လာသည်။ load resistance >500 Ω နှင့် Vin = 4.0 V သို့မဟုတ် > 750 Ω နှင့် Vin = 3.5 V၊ ပုံနှိပ် inductors များ၏ ထိရောက်မှုသည် SMT inductors ၏ 85% ထက် ကြီးသည်။
ပုံ 6d ရှိ လက်ရှိလှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်အား တိုင်းတာထားသော ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနှင့် နှိုင်းယှဉ်ကြည့်လျှင် inductor တွင် ခုခံမှုဆုံးရှုံးမှုသည် မျှော်လင့်ထားသည့်အတိုင်း ပရင့်ထုတ်ဆားကစ်နှင့် SMT circuit အကြား ထိရောက်မှုကွာခြားမှု၏ အဓိကအကြောင်းရင်းဖြစ်ကြောင်း ပြသပါသည်။ အဝင်နှင့်အထွက်ပါဝါ 4.0 V တွင်တိုင်းတာသည်။ input voltage နှင့် 1000 Ω load resistance သည် 30.4 mW နှင့် 25.8 mW ရှိသော circuits များအတွက် SMT components များနှင့် circuits အတွက် 33.1 mW နှင့် 25.2 mW တို့ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် printed circuit ၏ ဆုံးရှုံးမှုသည် 7.9 mW ဖြစ်ပြီး ၎င်းထက် 3.4 mW ပိုများသည်။ SMT အစိတ်အပိုင်းများပါရှိသော ဆားကစ်။ ပုံ 6d ရှိ လှိုင်းပုံစံမှ တွက်ချက်ထားသော RMS inductor လက်ရှိသည် 25.6 mA ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏စီးရီးခံနိုင်ရည်မှာ 4.9 Ω ဖြစ်သောကြောင့် မျှော်လင့်ထားသည့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုမှာ 3.2 mW ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် တိုင်းတာထားသည့် 3.4 mW DC ပါဝါကွာခြားချက်၏ 96% ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ဆားကစ်အား ပရင့်ထုတ်လျှပ်ကူးကိရိယာများ၊ ပုံနှိပ်ခုခံအားများ၊ ပရင့်ထုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် SMT ခုခံအားများဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသည်။ ၎င်းတို့ကြားတွင် သိသာထင်ရှားသော ထိရောက်မှု ကွာခြားမှုကို မတွေ့ရှိရပါ။
ထို့နောက် ဗို့အားထိန်းညှိအား ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် PCB (ပတ်လမ်း၏ပုံနှိပ်ခြင်းနှင့် SMT အစိတ်အပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို နောက်ဆက်တွဲပုံ S1 တွင်ပြသထားသည်) နှင့် ပါဝါရင်းမြစ်အဖြစ် OLED အခင်းကျင်းအဖြစ် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီကြားတွင် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ Lochner et al ၏အဆိုအရ 9 OLED များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် OLED pixel တစ်ခုစီသည် 5 V တွင် 0.6 mA စားသုံးပါသည်။ ဘက်ထရီသည် လစ်သီယမ်ကိုဘော့အောက်ဆိုဒ်နှင့် ဂရပ်ဖိုက်တို့ကို cathode နှင့် anode အဖြစ် အသီးသီးအသုံးပြုကာ အသုံးအများဆုံးဘက်ထရီပုံနှိပ်ခြင်းနည်းလမ်းဖြစ်သည့် doctor blade coating ဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသည်။7 ဘက်ထရီပမာဏမှာ 16mAh ဖြစ်ပြီး စမ်းသပ်နေစဉ်အတွင်း ဗို့အားမှာ 4.0V ဖြစ်သည်။ ပုံ 7 သည် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် PCB ပေါ်ရှိ ဆားကစ်ဓာတ်ပုံကို ပြသထားပြီး အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသည့် OLED pixels သုံးခုကို ပါဝါပေးထားသည်။ အဆိုပါသရုပ်ပြမှုသည် အခြားပရင့်ပါဝါအစိတ်အပိုင်းများနှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်သည့် အလားအလာကို သရုပ်ပြခဲ့သည်။ ပိုမိုရှုပ်ထွေးသော အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များ ဖွဲ့စည်းရန် လိုက်လျောညီထွေရှိပြီး အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ။
အော်ဂဲနစ် LED သုံးခုကို စွမ်းအင်ထုတ်ရန်အတွက် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းဘက်ထရီများကို အသုံးပြု၍ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော PCB ရှိ ဗို့အားထိန်းညှိပေးသည့် ဆားကစ်ဓာတ်ပုံ။
ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းကိရိယာများတွင် မျက်နှာပြင် mount အစိတ်အပိုင်းများကို အစားထိုးရန် ရည်ရွယ်ချက်ဖြင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် PET အလွှာပေါ်တွင် တန်ဖိုးများစွာရှိသော မျက်နှာပြင်ပုံနှိပ် inductors၊ capacitors နှင့် resistors များကို ပြသထားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကြီးမားသောအချင်းရှိသော ခရုပတ်ကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းဖြင့် ဖြည့်နှုန်း၊ ၊ နှင့် လိုင်း width-space width နှင့် low-resistance ink ၏ အထူအလွှာကို အသုံးပြု၍ ဤအစိတ်အပိုင်းများကို အပြည့်အဝ ပုံနှိပ်ပြီး ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် RLC ဆားကစ်တစ်ခုအဖြစ် ပေါင်းစည်းထားပြီး အကြီးမားဆုံးဖြစ်သည့် kHz-MHz ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးတွင် ကြိုတင်ခန့်မှန်းနိုင်သော လျှပ်စစ်အပြုအမူကို ပြသထားသည်။ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ကိုစိတ်ဝင်စား။
ပုံနှိပ်ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် သာမာန်အသုံးပြုမှုကိစ္စများသည် ဝတ်ဆင်နိုင်သော သို့မဟုတ် ထုတ်ကုန်-ပေါင်းစပ်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များဖြစ်သည့် အားပြန်သွင်းနိုင်သော ဘက်ထရီများ (ဥပမာ လီသီယမ်-အိုင်းယွန်းကဲ့သို့) ဖြင့် ပါဝါအသုံးပြုနိုင်သည်။ ဝန်အား (ပုံနှိပ်ခြင်းနှင့် အပါအဝင်)၊ အော်ဂဲနစ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ) သည် ဘက်ထရီမှ အဆက်မပြတ်ဗို့အား သို့မဟုတ် ဗို့အားထွက်ရှိမှုထက် ပိုမြင့်ရန် လိုအပ်သည်၊ လျှပ်စီးကြောင်းထိန်းကိရိယာတစ်ခု လိုအပ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ပုံနှိပ်ထားသော inductors နှင့် resistor များကို OLED အား ဆက်တိုက်ဗို့အားအားမြှင့်တင်ရန်အတွက် ရိုးရာဆီလီကွန် IC များနှင့် ပေါင်းစပ်ထားပါသည်။ ပြောင်းလဲနိုင်သော ဗို့အားဘက်ထရီမှ 5 V ၏ ပါဝါထောက်ပံ့မှု။ ဝန်လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် အဝင်ဗို့အားအချို့အကွာအဝေးအတွင်း၊ ဤဆားကစ်၏ထိရောက်မှုသည် မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်အလျှပ်ကူးကိရိယာများနှင့် ခံနိုင်ရည်များကိုသုံး၍ ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်း၏ထိရောက်မှု 85% ထက်ကျော်လွန်ပါသည်။ inductor အတွင်းရှိ resistive losses များသည် high current အဆင့်တွင် circuit performance အတွက် ကန့်သတ်အချက်သာ ဖြစ်ဆဲဖြစ်သည် (input current 10 mA ထက် ပိုများသည်)။သို့သော် နိမ့်သော current တွင် inductor တွင် ဆုံးရှုံးမှုများ လျော့နည်းသွားကာ စွမ်းဆောင်ရည်အားဖြင့် အလုံးစုံ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကန့်သတ်ထားသည်။ IC ၏ ပုံနှိပ်စက်နှင့် အော်ဂဲနစ်စက်ပစ္စည်းအများအပြားသည် ကျွန်ုပ်တို့၏သရုပ်ပြမှုတွင်အသုံးပြုသည့် OLED အသေးများကဲ့သို့သော သေးငယ်သောလျှပ်စီးကြောင်းများလိုအပ်သောကြောင့်၊ ပုံနှိပ်ပါဝါ inductors များသည် ထိုကဲ့သို့သောအပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်သည်ဟု ယူဆနိုင်ပါသည်။ လက်ရှိအောက်ပိုင်းအဆင့်များတွင် အမြင့်ဆုံးထိရောက်မှုရှိသော IC များကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ပိုမိုမြင့်မားသောအလုံးစုံ converter စွမ်းဆောင်ရည်ကိုရရှိနိုင်ပါသည်။
ဤလုပ်ငန်းတွင်၊ ဗို့အားထိန်းညှိကိရိယာအား သမားရိုးကျ PCB၊ လိုက်လျောညီထွေရှိသော PCB နှင့် မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်ထားသော အစိတ်အပိုင်းဂဟေနည်းပညာပေါ်တွင် တည်ဆောက်ထားပြီး၊ ပုံနှိပ်အစိတ်အပိုင်းကို သီးခြားအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် ထုတ်လုပ်ထားသည်။ သို့သော်၊ မျက်နှာပြင်ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည့် အပူချိန်နိမ့်နှင့် မြင့်မားသော မှင်များ၊ ပုံနှိပ်ထားသော ရုပ်ရှင်များသည် passive အစိတ်အပိုင်းများ၊ စက်နှင့် မျက်နှာပြင် mount အစိတ်အပိုင်း အဆက်အသွယ် pads များကြား အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှုကို ခွင့်ပြုသင့်သည်။ ၎င်းသည် မျက်နှာပြင် mount အစိတ်အပိုင်းများအတွက် ရှိပြီးသား အပူချိန်နိမ့်လျှပ်ကူးကော်ပြားများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ခွင့်ပြုမည်ဖြစ်သည်။ PCB etching ကဲ့သို့သော နုတ်လုပ်ငန်းစဉ်များမလိုအပ်ဘဲ ဈေးသက်သာသော အလွှာများ (PET ကဲ့သို့) ပေါ်တွင် တည်ဆောက်ရမည့် ဆားကစ်တစ်ခုလုံး။ ထို့ကြောင့်၊ ဤလုပ်ငန်းတွင် တီထွင်ထားသော စခရင်-ပုံနှိပ်ထားသော passive အစိတ်အပိုင်းများသည် စွမ်းအင်နှင့် ဝန်များပေါင်းစပ်နိုင်သော ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များအတွက် လမ်းခင်းပေးပါသည်။ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့်အတူ၊ ဈေးသက်သာသော အလွှာများကို အသုံးပြုကာ၊ အဓိကအားဖြင့် ပေါင်းထည့်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် မျက်နှာပြင် တပ်ဆင်အစိတ်အပိုင်းများ၏ အရေအတွက် အနည်းဆုံးဖြစ်သည်။
Asys ASP01M ဖန်သားပြင်ပရင်တာနှင့် Dynamesh Inc. မှ ပံ့ပိုးပေးသော သံမဏိစခရင်ကို အသုံးပြု၍ passive အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို အထူ 76 μm ရှိသော PET အလွှာပေါ်တွင် စခရင်ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားသည်။ သတ္တုအလွှာ၏ ကွက်အရွယ်အစားသည် တစ်လက်မလျှင် လိုင်း 400 နှင့် 250 dielectric အလွှာနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိအလွှာအတွက် တစ်လက်မလျှင် မျဉ်းကြောင်းများ။ ညှစ်အား 55 N၊ ပုံနှိပ်အမြန်နှုန်း 60 မီလီမီတာ/s၊ ကွဲထွက်သည့်အကွာအဝေး 1.5 မီလီမီတာ၊ မာကျောမှု 65 (သတ္တုနှင့် ခံနိုင်ရည်အတွက် 65 မီလီမီတာ)၊ မျက်နှာပြင်ပုံနှိပ်ခြင်းအတွက် အလွှာများ) သို့မဟုတ် 75 (အီလက်ထရစ်အလွှာများအတွက်)။
လျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာများ—လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ကာပတ်စီတာများနှင့် ခံနိုင်ရည်ထိန်းများ၏ အဆက်အသွယ်များ—အား DuPont 5082 သို့မဟုတ် DuPont 5064H silver microflake မင်ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားသည်။ ခုခံအားကို DuPont 7082 ကာဗွန်စပယ်ယာဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားသည်။ ကာပတ်စီတာဒိုင်လျှပ်စစ်အတွက်၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဒြပ်ပေါင်း BT-101 barium titanate dielectric ရုပ်ရှင်၏ တူညီမှု ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက် dielectric အလွှာတစ်ခုစီကို two-pass (wet-wet) ပုံနှိပ်စက်ဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီအတွက်၊ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကွဲပြားမှုအပေါ် ပုံနှိပ်ခြင်းဆိုင်ရာ သက်ရောက်မှုများစွာကို ဆန်းစစ်ထားပါသည်။ နမူနာများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ တူညီသောပစ္စည်း၏ အပေါ်ယံအလွှာများစွာကို အပေါ်ယံများကြားတွင် 2 မိနစ်ကြာ 70°C တွင် အခြောက်ခံခဲ့သည်။ ပစ္စည်းတစ်ခုစီ၏နောက်ဆုံးအဖုံးကို လိမ်းပြီးနောက်၊ နမူနာများကို 140°C တွင် 10 မိနစ်ကြာ ဖုတ်ပေးခဲ့သည်။ မျက်နှာပြင်၏ အလိုအလျောက်ချိန်ညှိမှုလုပ်ဆောင်ချက် နောက်ဆက်တွဲအလွှာများကို ချိန်ညှိရန် ပရင်တာအား အသုံးပြုပါသည်။ အလယ်ခေါင်တွင် အပေါက်တစ်ခုဖြတ်ကာ DuPont 5064H မှင်ဖြင့် ပုံနှိပ်သည့်အရာများကို DuPont 5064H မှင်ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ခြင်းဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ ပုံနှိပ်စက်များကြား အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုကို Dupont ကိုလည်း အသုံးပြုပါသည်။ 5064H stencil ပုံနှိပ်ခြင်း။ ပုံ 7 တွင်ပြသထားသော ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် PCB ရှိ ပုံနှိပ်အစိတ်အပိုင်းများနှင့် SMT အစိတ်အပိုင်းများကိုပြသရန်အတွက်၊ ပုံနှိပ်အစိတ်အပိုင်းများကို Circuit Works CW2400 conductive epoxy ကိုအသုံးပြု၍ ချိတ်ဆက်ထားပြီး SMT အစိတ်အပိုင်းများကို ရိုးရာဂဟေဖြင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။
လစ်သီယမ်ကိုဘော့အောက်ဆိုဒ် (LCO) နှင့် ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို ဘက်ထရီ၏ cathode နှင့် anode အဖြစ် အသီးသီးအသုံးပြုကြသည်။ cathode slurry သည် 80% LCO (MTI Corp.), 7.5% graphite (KS6, Timcal), 2.5၊ % ကာဗွန်အနက်ရောင် (Super P၊ Timcal) နှင့် 10% polyvinylidene ဖလိုရိုက် (PVDF၊ Kureha ကော်ပိုရေးရှင်း)။ ) anode သည် 84wt% ဂရပ်ဖိုက်၊ 4wt% ကာဗွန်အနက်ရောင်နှင့် 13wt% PVDF.N-Methyl-2-pyrrolidone (NMP, Sigma Aldrich) တို့ကို PVDF binder ကို ပျော်ဝင်စေပြီး slurry ကို စွန့်ထုတ်ရန် အသုံးပြုပါသည်။ အဆိုပါ slurry ကို တစ်သားတည်းဖြစ်စေပါသည်။ vortex mixer ဖြင့် တစ်ညလုံးမွှေပါ။A 0.0005 လက်မထူသော သံမဏိသတ္တုပြားနှင့် cathode နှင့် anode အတွက် 10 μm နီကယ်သတ္တုပြားကို လက်ရှိစုဆောင်းသူများအဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ မင်ကို လက်ရှိစုဆောင်းသူတွင် ညှစ်စက်ဖြင့် ပုံနှိပ်ခြင်း အမြန်နှုန်း 20 ဖြင့် ရိုက်နှိပ်ထားပါသည်။ မီလီမီတာ/စက္ကန့်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို 80 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် 2 နာရီကြာ အပူပေးပြီး မီးဖိုတွင် အပူပေးပါ။ အခြောက်ခံပြီးနောက် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အမြင့်မှာ 60 μm ခန့်ရှိပြီး တက်ကြွသောပစ္စည်း၏အလေးချိန်ပေါ် မူတည်၍ သီအိုရီပိုင်းစွမ်းရည်မှာ 1.65 mAh ဖြစ်သည်။ /cm2.လျှပ်ကူးပစ္စည်းအား 1.3 × 1.3 cm2 အရွယ် ဖြတ်ပြီး 140°C တွင် လေဟာနယ်မီးဖို၌ တစ်ညလုံးအပူပေးပြီးနောက် ၎င်းတို့အား နိုက်ထရိုဂျင်ဖြည့်ထားသော လက်အိတ်ပုံးတစ်ခုတွင် အလူမီနီယမ် အလူမီနီယံအိတ်များဖြင့် အလုံပိတ်ပိတ်ထားသည်။ EC/DEC (1:1) တွင် anode နှင့် cathode နှင့် 1M LiPF6 ကို ဘက်ထရီ electrolyte အဖြစ် အသုံးပြုသည်။
အစိမ်းရောင် OLED တွင် poly(9,9-dioctylfluorene-co-n-(4-butylphenyl)-diphenylamine) (TFB) နှင့် poly((9,9-dioctylfluorene-2,7-(2,1,3-benzothiadiazole-) တို့ပါဝင်သည်။ 4၊ 8-diyl)) (F8BT) Lochner et al တွင်ဖော်ပြထားသောလုပ်ထုံးလုပ်နည်းအရ။
ဖလင်အထူကိုတိုင်းတာရန် Dektak stylus ပရိုဖိုင်ကိုအသုံးပြုပါ။ အီလက်ထရွန်အဏုစကုပ် (SEM) ကိုစကင်န်ဖတ်ခြင်းဖြင့် စုံစမ်းစစ်ဆေးရန်အတွက် ဖြတ်ပိုင်းနမူနာကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် FEI Quanta 3D field emission gun (FEG) SEM ကို ပုံနှိပ်ထားသောဖွဲ့စည်းပုံ၏ အနှစ်သာရကိုဖော်ပြရန် အသုံးပြုပါသည်။ ဖလင်နှင့် အထူတိုင်းတာခြင်းအား အတည်ပြုပါ။ SEM လေ့လာမှုအား 20 keV ၏ အရှိန်မြှင့်ဗို့အားနှင့် ပုံမှန်လုပ်ငန်းခွင်အကွာအဝေး 10 မီလီမီတာတွင် ပြုလုပ်ခဲ့ပါသည်။
DC ခံနိုင်ရည်၊ ဗို့အားနှင့် လက်ရှိကို တိုင်းတာရန် ဒစ်ဂျစ်တယ် မာလ်တီမီတာကို အသုံးပြုပါ။ inductors၊ capacitors နှင့် circuit များ၏ AC impedance ကို 1 MHz အောက် ကြိမ်နှုန်းများအတွက် Agilent E4980 LCR meter ကို အသုံးပြု၍ တိုင်းတာပြီး Agilent E5061A ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာကိရိယာကို 500 kHz အထက် ကြိမ်နှုန်းများကို တိုင်းတာရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ ဗို့အားထိန်းညှိလှိုင်းပုံစံကိုတိုင်းတာရန် Tektronix TDS 5034 oscilloscope။
ဤဆောင်းပါးကို ကိုးကားနည်း- Ostfeld၊ AE၊ etc. ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းအတွက် မျက်နှာပြင်ပုံနှိပ်ခြင်း passive အစိတ်အပိုင်းများ။ 5, 15959; doi: 10.1038/srep15959 (2015)။
Nathan, A. et al.Flexible electronics- နောက်ထပ်နေရာအနှံ့ ပလပ်ဖောင်း။Process IEEE 100၊ 1486-1517 (2012)။
Rabaey၊ JM Human Intranet- အဖွဲ့များသည် လူသားများနှင့် တွေ့ဆုံသည့်နေရာ။ ဒီဇိုင်း၊ အလိုအလျောက်စနစ်နှင့် စမ်းသပ်ခြင်းဆိုင်ရာ 2015 European Conference and Exhibition on Design, Grenoble, France.San Jose, California: EDA Alliance.637-640 (2015၊ မတ်လ 9- ရက်၊ ၁၃)။
Krebs၊ FC စသည်တို့။OE-A OPV ဆန္ဒပြသူ anno domini 2011.Energy environment.science.4၊ 4116–4123 (2011)။
Ali, M., Prakash, D., Zillger, T., Singh, PK & Hübler, AC printed piezoelectric စွမ်းအင်ရိတ်သိမ်းကိရိယာများ။အဆင့်မြင့်စွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းများ။၄။ 1300427 (2014)။
Chen, A., Madan, D., Wright, PK & Evans, JW Dispenser-printed flat thick film thermoelectric energy generator.J. Micromechanics Microengineering 21၊ 104006 (2011)။
Gaikwad, AM, Steingart, DA, Ng, TN, Schwartz, DE & Whiting, GL ပုံနှိပ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို အားဖြည့်ရန်အတွက် အသုံးပြုသော ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် အလားအလာရှိသော မြင့်မားသော ပုံနှိပ်ဘက်ထရီ။App Physics Wright.102, 233302 (2013)။
Gaikwad, AM, Arias, AC & Steingart, DA ပုံနှိပ်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် ဘက်ထရီများ၏ နောက်ဆုံးပေါ်တိုးတက်မှုများ- စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများ၊ ပုံနှိပ်နည်းပညာနှင့် အနာဂတ်အလားအလာများ။Energy technology.3၊ 305–328 (2015)။
Hu၊ Y. အစရှိသည်ဖြင့် ဧရိယာကြီးမားသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများနှင့် CMOS IC များကို ပေါင်းစပ်ထားသည့် အကြီးစားအာရုံခံစနစ်။IEEE J. Solid State Circuit 49၊ 513–523 (2014)။